English
Chinese
Spanish
Arabic
Portuguese
Russian
Japanese
German
Korean
French
ItalianТехнические характеристики PDF для MJD127 результаты поиска
DatasheetPDF найдено 1 PDF документы, соответствующие вашему запросу:
Electronic component:MJD127
Произв:Samsung
Samsung Semiconductor, Inc.
Температура:min -65°c | max 150°c
Описание:pnp darlington transistor for high dc current gain, 100v, 8a
Покупать MJD127
PDF Размер: Kb PDF Страниц: Page
Технические характеристики Загрузить:
Похожие части нет
MJD127
Samsung Semiconductor, Inc.
pnp darlington transistor for high dc current gain, 100v, 8a
MJD127
Fairchild Semiconductor
pnp transistor for high dc current gain, 100v, 8a
MJD127T4
ON Semiconductor
pnp transistor for high dc current gain, 100v, 8a
MJD122T4
Fairchild Semiconductor
npn transistor, for general purpose amplifier and low speed switching applications, 100v, 8a
MJD122-1
Fairchild Semiconductor
npn transistor, for general purpose amplifier and low speed switching applications, 100v, 8a
MJD127-1
Samsung Semiconductor, Inc.
pnp transistor, 100v, 8a
TOP