K4E171612D-T Datasheet,K4E171612D-T PDF

K4E171612D-T Data sheet

Datasheet PDF | Обратная США | Карта сайта | Закладка

Поиск:

Путь: Datasheet PDF > Производитель полупроводников > Samsung > K4E171612D-T Datasheet

Технические характеристики PDF для K4E171612D-T результаты поиска

 DatasheetPDF найдено 1 PDF документы, соответствующие вашему запросу:

Electronic component:K4E171612D-T
Произв:Samsung

Samsung Semiconductor, Inc.
Температура:min 0°c | max 70°c
Описание:1m x 16 bit cmos dynamic ram with extended data out. supply voltage 3.3v, 4k refresh cycle.

Покупать K4E171612D-T
PDF Размер: Kb PDF Страниц: Page
Технические характеристики Загрузить:


K4E171612D-T Datasheet

Похожие части нет

K4E171612D-T
Samsung Semiconductor, Inc.
1m x 16 bit cmos dynamic ram with extended data out. supply voltage 3.3v, 4k refresh cycle.

K4E170411D-B
Samsung Semiconductor, Inc.
4m x 4 bit cmos dynamic ram with extended data out. supply voltage 5v, 4k refresh cycle.

K4E170412D-F
Samsung Semiconductor, Inc.
4m x 4 bit cmos dynamic ram with extended data out. supply voltage 3.3v, 4k refresh cycle.

K4E160411D-B
Samsung Semiconductor, Inc.
4m x 4 bit cmos dynamic ram with extended data out. supply voltage 5v, 2k refresh cycle.

K4E160811D-F
Samsung Semiconductor, Inc.
2m x 8 bit cmos dynamic ram with extended data out. supply voltage 5v, 2k refresh cycle.

K4E160411D-B
Samsung Semiconductor, Inc.
4m x 4 bit cmos dynamic ram with extended data out. supply voltage 5v, 2k refresh cycle.