K4E661612B-TC50 Datasheet,K4E661612B-TC50 PDF

K4E661612B-TC50 Data sheet

Datasheet PDF | Обратная США | Карта сайта | Закладка

Поиск:

Путь: Datasheet PDF > Производитель полупроводников > Samsung > K4E661612B-TC50 Datasheet

Технические характеристики PDF для K4E661612B-TC50 результаты поиска

 DatasheetPDF найдено 1 PDF документы, соответствующие вашему запросу:

Electronic component:K4E661612B-TC50
Произв:Samsung

Samsung Semiconductor, Inc.
Температура:min 0°c | max 70°c
Описание:4m x 16bit cmos dynamic ram with extended data out, 3.3v power supply, 50ns

Покупать K4E661612B-TC50
PDF Размер: Kb PDF Страниц: Page
Технические характеристики Загрузить:


K4E661612B-TC50 Datasheet

Похожие части нет

K4E661612B-TC50
Samsung Semiconductor, Inc.
4m x 16bit cmos dynamic ram with extended data out, 3.3v power supply, 50ns

K4E640412D-TC/L
Samsung Semiconductor, Inc.
16m x 4 bit cmos dynamic ram with extended data out. 3.3v, 4k refresh cycle.

K4E640812C-JCL-6
Samsung Semiconductor, Inc.
8m x 8bit cmos dynamic ram with extended data out, 60ns

K4E660812C-JC-6
Samsung Semiconductor, Inc.
8m x 8bit cmos dynamic ram with extended data out, 60ns

K4E641612B-TL50
Samsung Semiconductor, Inc.
4m x 16bit cmos dynamic ram with extended data out, 3.3v power supply, 50ns, low power

K4E660812C-JCL-45
Samsung Semiconductor, Inc.
8m x 8bit cmos dynamic ram with extended data out, 45ns