K4S643232E-TL50 Datasheet,K4S643232E-TL50 PDF

K4S643232E-TL50 Data sheet

Datasheet PDF | Обратная США | Карта сайта | Закладка

Поиск:

Путь: Datasheet PDF > Производитель полупроводников > Samsung > K4S643232E-TL50 Datasheet

Технические характеристики PDF для K4S643232E-TL50 результаты поиска

 DatasheetPDF найдено 1 PDF документы, соответствующие вашему запросу:

Electronic component:K4S643232E-TL50
Произв:Samsung

Samsung Semiconductor, Inc.
Температура:min 0°c | max 70°c
Описание:512k x 32bit x 4 banks synchronous dram lvttl, 3.3v, 200mhz

Покупать K4S643232E-TL50
PDF Размер: Kb PDF Страниц: Page
Технические характеристики Загрузить:


K4S643232E-TL50 Datasheet

Похожие части нет

K4S643232E-TL50
Samsung Semiconductor, Inc.
512k x 32bit x 4 banks synchronous dram lvttl, 3.3v, 200mhz

K4S640832E-TC1L
Samsung Semiconductor, Inc.
64mb synchronous dram, 3.3v, lvttl interface, 100mhz

K4S641632D-TC/L60
Samsung Semiconductor, Inc.
1m x 16bit x 4 banks synchronous dram lvttl. 64 mbit sdram. max freq. 166 mhz (cl=3), interface lvttl.

K4S641632D-TC/L70
Samsung Semiconductor, Inc.
1m x 16bit x 4 banks synchronous dram lvttl. 64 mbit sdram. max freq. 143 mhz (cl=3), interface lvttl.

K4S640832E-TC1H
Samsung Semiconductor, Inc.
64mb synchronous dram, 3.3v, lvttl interface, 100mhz

K4S640832C-TC/L1H
Samsung Semiconductor, Inc.
2m x 8bit x 4 banks synchronous dram, 3.3v power supply, lvttl, 100mhz