KM416V1204BJ-6 Datasheet,KM416V1204BJ-6 PDF

KM416V1204BJ-6 Data sheet

Datasheet PDF | Обратная США | Карта сайта | Закладка

Поиск:

Путь: Datasheet PDF > Производитель полупроводников > Samsung > KM416V1204BJ-6 Datasheet

Технические характеристики PDF для KM416V1204BJ-6 результаты поиска

 DatasheetPDF найдено 1 PDF документы, соответствующие вашему запросу:

Electronic component:KM416V1204BJ-6
Произв:Samsung

Samsung Semiconductor, Inc.
Температура:min 0°c | max 70°c
Описание:3.3v, 1m x 16 bit cmos dram with extended data out, 60ns

Покупать KM416V1204BJ-6
PDF Размер: Kb PDF Страниц: Page
Технические характеристики Загрузить:


KM416V1204BJ-6 Datasheet

Похожие части нет

KM416V4004CS-L45
Samsung Semiconductor, Inc.
4m x 16bit cmos dynamic ram with extended data out, 3.3v power supply, 45ns, low power

KM416V256DT-6
Samsung Semiconductor, Inc.
256k x 16bit cmos dynamic ram with fast page mode, 60ns, 3.3v

KM416V1204BJ-6
Samsung Semiconductor, Inc.
3.3v, 1m x 16 bit cmos dram with extended data out, 60ns

KM416V1000BJ-5
Samsung Semiconductor, Inc.
1m x 16bit cmos dynamic ram with fast page mode, 3.3v, 50ns

KM416V1200BJ-6
Samsung Semiconductor, Inc.
1m x 16bit cmos dynamic ram with fast page mode, 3.3v, 60ns

KM416S8030BT-G/FL
Samsung Semiconductor, Inc.
2m x 16bit x 4 banks synchronous dram lvttl. 128 mbit sdram. max freq. 100 mhz (cl=3)